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Transistor FET de RF / Hasta 8 GHz / Bajo Ruido / Encapsulado SMD

Transistor FET de RF / Hasta 8 GHz / Bajo Ruido / Encapsulado SMD

Disponibilidad del producto: Disponible con proveedor
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Transistor FET de RF / Hasta 8 GHz / Bajo Ruido / Encapsulado SMD

  • Transistor de efecto de campo (FET) de alta precisión
  • Diseñado para aplicaciones de RF y microondas
  • Frecuencia de operación hasta 8 GHz
  • Bajo ruido y alta linealidad
  • Encapsulado SMD para montaje superficial
  • Compatibilidad con estándares industriales ICV8000

Datos técnicos

Modelo156-000-1061
Garantía3 años
Clave SAT32111607
Descripción SATTransistores bipolares de radiofrecuencia (rf) o darlington
UnidadPieza
Clave unidad SATH87
Peso (kg)0.01
Peso volumétrico (dato del proveedor)0.01

Ficha original del proveedor

Existencias reportadas por el proveedor; sujetas a confirmación.

  • Marca
  • Referencia
    156-000-1061
  • En existencia
    31 Artículos
  • Nº Pieza fabricante (NPM)
    156-000-1061

  • Modelo
    156-000-1061
  • Garantía
    3 años
  • Clave SAT
    32111607
  • Descripción SAT
    Transistores bipolares de radiofrecuencia (rf) o darlington
  • Unidad
    Pieza
  • Clave unidad SAT
    H87
  • Peso (kg)
    0.01
  • Peso volumétrico (dato del proveedor)
    0.01

Ficha técnica - 156-000-1061

Ficha del catálogo elaborada por Soluciones GMC con datos de Enlace GMC / SYSCOM. No sustituye la documentación oficial del fabricante.

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Política de entrega
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