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Transistor FET de RF / Alta Potencia / Hasta 1 GHz / 28 V

Transistor FET de RF / Alta Potencia / Hasta 1 GHz / 28 V

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Transistor FET de RF / Alta Potencia / Hasta 1 GHz / 28 V

  • Transistor FET de alta potencia
  • Diseñado para aplicaciones de RF
  • Frecuencia de operación hasta 1 GHz
  • Voltaje de operación de 28 V
  • Corriente de drenaje de 150 mA
  • Paquete hermético para mayor durabilidad

Datos técnicos

Modelo156-000-1151
Garantía3 años
Clave SAT32111603
Descripción SATTransistores mos de efecto de campo (mosfet)
UnidadPieza
Clave unidad SATH87

Ficha original del proveedor

Existencias reportadas por el proveedor; sujetas a confirmación.

  • Marca
  • Referencia
    156-000-1151
  • Nº Pieza fabricante (NPM)
    156-000-1151

  • Modelo
    156-000-1151
  • Garantía
    3 años
  • Clave SAT
    32111603
  • Descripción SAT
    Transistores mos de efecto de campo (mosfet)
  • Unidad
    Pieza
  • Clave unidad SAT
    H87

Ficha técnica - 156-000-1151

Ficha del catálogo elaborada por Soluciones GMC con datos de Enlace GMC / SYSCOM. No sustituye la documentación oficial del fabricante.

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Política de seguridad
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Política de entrega
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Política de devolución
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